【導讀】便捷高效的充電對于所有電池供電的電動汽車（BEV）的成功至關重要，可用充電的地方越多，充電速度越快，消費者就越有可能購買純電動汽車而不是化石燃料汽車。本文將為您介紹25 kW直流快速電動汽車充電器的設計技巧，以及由安森美（onsemi）所推出的相關解決方案。
便捷高效的充電對于所有電池供電的電動汽車（BEV）的成功至關重要，可用充電的地方越多，充電速度越快，消費者就越有可能購買純電動汽車而不是化石燃料汽車。本文將為您介紹25 kW直流快速電動汽車充電器的設計技巧，以及由安森美（onsemi）所推出的相關解決方案。
直流快速充電技術提升電動汽車充電效率
當前采用直流快速電動汽車充電技術，是現(xiàn)代電動汽車充電的一種重要方式，它可以大幅縮短充電時間，提高用戶的便利性和使用效率。
其中的關鍵技術首先牽涉到充電標準，目前主要有CHAdeMO、CCS（Combined Charging System）和Tesla Supercharger等多種充電標準，不同品牌和型號的電動汽車可能支持不同的充電標準，因此在選擇充電設備時需確保與車輛兼容。
此外，直流快速充電的充電功率通常比交流充電高，能夠快速將電能輸送到電池中。充電功率的高低會影響充電速度和效率，因此需要根據(jù)電動汽車的需求和充電設備的規(guī)格來選擇適合的充電功率。
直流快速充電需要專用的充電設備，通常設置在充電站或特定場所，并在充電時需要注意充電安全問題，包括避免充電過程中發(fā)生過熱、過充或其他安全風險。一般來說，充電設備和電動汽車都會具有相應的安全保護機制，但使用者仍應留意充電過程中的任何異常情況，及時處理或停止充電。直流快速充電相較于慢速充電，對電池的沖擊較大，因此建議適度控制直流快速充電的頻率，避免過于頻繁地使用直流快速充電，影響電池壽命和性能。
直流快速充電技術能夠有效提高電動汽車的充電速度和便利性，但在使用過程中仍需注意充電標準、充電功率、充電設備和充電安全等方面的問題，確保充電過程安全可靠。
SiC模塊是直流快速充電技術的關鍵元器件
碳化硅（SiC）模塊是直流快速充電技術中的關鍵元器件，SiC模塊包含SiC MOSFET和SiC二極管。升壓模塊用于太陽能逆變器的DC-DC級，這些模塊使用額定電壓為1200V的SiC MOSFET和SiC二極管。
SiC模塊是一種使用碳化硅半導體作為其開關的電源模塊，SiC電源模塊的目的是通過開關轉換電力，以提高系統(tǒng)效率，SiC模塊的主要功能是轉換電力。碳化硅比硅具有優(yōu)勢，因為離開電源時的阻抗較小（由于效率提高），SiC器件可以在更高的開關頻率下運行。基于SiC的系統(tǒng)比硅解決方案更緊湊、更輕，可實現(xiàn)更小的設計。因此，SiC器件是想要提高效率和改善熱管理情況的理想解決方案。
為了解決直流快速充電所面臨的挑戰(zhàn)，安森美對SiC技術和封裝解決方案進行持續(xù)創(chuàng)新，將有助于簡化電動汽車充電器的設計流程。安森美憑借著全面的分立電源和模擬解決方案、保護、傳感和連接等產(chǎn)品組合，可提供高質量元器件，并根據(jù)客戶的需求定制系統(tǒng)，結合安森美在過去20年中不斷積累的系統(tǒng)專業(yè)知識，能夠同時將所有這些技術結合在一起，提供全面的解決方案。
設計快速電動汽車充電器所面臨的挑戰(zhàn)
想要設計一個緊湊、高效、可靠的快速電動汽車充電器并不是一件容易的事。除了實際的轉換電路之外，硬件保護技術也至關重要，需要設計人員分析多種“假設”場景，解決方案將包括由無源RC網(wǎng)絡和區(qū)隔元器件形成的緩沖器。
過高的電壓和／或電流始終是一個問題，需要提供保護以確保功率半導體不被損壞。其中一種技術是添加一個具有定義閾值和遲滯的電壓比較器，如果存在過壓，該電壓比較器會阻止柵極驅動器。
過流問題相當具有挑戰(zhàn)性，安森美推出的NDC57000柵極驅動器，具有過流去飽和保護（DESAT）功能，因此可以在對BOM和產(chǎn)品成本影響最小的情況下解決該問題。諸如此類的硬件保護在測試和調試期間尤其重要，尤其是啟動階段，此時最有可能發(fā)生不可預測的切換。
NDC57000可在PFC級中用于保護SiC功率集成模塊（PIM），其測試方法可用于評估DESAT跳閘電流閾值，這是必須進行的功能測試。直流母線電容器用于提供所需的高峰值跳閘電流，并向柵極注入脈沖以打開模塊，并允許DESAT保護跳閘。作為測試的結果，可以將理論值與實際值進行比較，并進行設計調整。
對于主雙有源橋（DAB）DCDC轉換器，也可使用NDC57000，依靠壓降來監(jiān)控電流水平。然而，這種方法對器件特性很敏感，雖然數(shù)據(jù)表已包含一些信息，但還是需要進行原型驗證。
另一種方法是在開始制作原型之前進行模擬，以便更準確地設置參數(shù)。這樣可以非破壞性的方式模擬和理解初級和次級短路效應。DESAT保護的離散增強功能，可為輸出電壓跨度高達200-1000V的DCDC級設計人員，提供寬工作電壓范圍解決方案。
SiC技術的顯著優(yōu)勢之一是其能夠在高頻下運行。然而，這意味著快速的dv/dt轉換速率，會對25 kW快速充電器的物理布局產(chǎn)生影響，必須優(yōu)化布局以最大限度地減少寄生電感，尤其是電源走線中的寄生電感。此外，在多個點上還需要緩沖電路，以最大程度地減少可能造成破壞并產(chǎn)生EMI問題的過沖和振鈴。
系統(tǒng)級控制是另一個重要領域，25 kW快速充電器在PFC和DAB內配備多個閉環(huán)控制器，用于控制變壓器有源磁通平衡和初級到次級相移等參數(shù)，從而控制輸出電壓和電流。這里的一個挑戰(zhàn)是選擇每個環(huán)路的增益，以便整個系統(tǒng)不會變得不穩(wěn)定。
由于測試需要高功率設備，設計人員通常會在工作臺上構建具有兩個PFC級和一個DAB的環(huán)回布置，以允許在受控條件下進行安全測試。環(huán)回測試也適用于大規(guī)模生產(chǎn)的老化階段，其中被測器件的能量得到恢復，這可以節(jié)省大量的制造成本，以實現(xiàn)世界上的低碳排放使命。
具備高系統(tǒng)效率和可靠性的IGBT驅動器
安森美的NCD57000是一款具有內部電流隔離的大電流單通道IGBT驅動器，專為高功率應用中的高系統(tǒng)效率和可靠性而設計。其功能包括互補輸入、開漏故障和就緒輸出、有源米勒鉗位、負柵極電壓、精確的UVLO、DESAT保護、DESAT軟關斷，支持IGBT米勒平臺電壓下的高電流輸出（+4/-6 A），傳播延遲短且匹配準確，具有高瞬態(tài)和電磁抗擾度，以及5 kV電流隔離能力與獨立的高低（OUTH和OUTL）驅動器輸出，以方便系統(tǒng)設計。
NCD57000在輸入側可容納5V和3.3V信號，在驅動器側可容納寬偏置電壓范圍，包括負電壓功能。NCD57000提供>5 kVrms（UL1577等級）電流隔離和>1200 Viorm（工作電壓）功能。NCD57000采用寬體SOIC-16封裝，輸入和輸出之間保證有8 mm爬電距離，以滿足強化安全絕緣要求。
為了加快客戶的產(chǎn)品開發(fā)速度，安森美也推出了NCD57000的參考設計套件。SEC-25KW-SIC-PIM-GEVK是一款基于SiC功率集成模塊的25kW快速直流電動汽車充電器參考設計套件。該完整SiC解決方案由PFC和DC-DC級組成，具有多個1200V、10 mohm半橋SiC模塊NXH010P120MNF1，超低RDS(ON)和最小化寄生電感，可顯著降低傳導損耗和開關損耗。依靠強大的通用控制器板（UCB），以及Zynq?-7000 SoC FPGA和基于ARM?的處理器，該系統(tǒng)可在200V-1000V輸出電壓下提供最大25kW的功率，并以96%的全局效率為400V或800V電動汽車電池充電。
SEC-25KW-SIC-PIM-GEVK還重點介紹了電流隔離大電流驅動器NCD57000、輔助電源解決方案SECO-HVDCDC1362-40W-GEVB，可為低壓元器件提供穩(wěn)定電壓軌、浪涌控制、過壓等集成保護和多個通信接口。
SEC-25KW-SIC-PIM-GEVK可支持三相PFC和DAB，可實現(xiàn) 400V/800V電池的雙向功率轉換，符合 EN55011 A 級和 IEC 61851 規(guī)范，集成了半橋、1200V、10 mohm SiC M1 MOSFET的NXH010P120MNF1 SiC 模塊，以及隔離式大電流、高效率柵極驅動器 NCD57000。
結語
直流快速充電技術是電動汽車充電領域的一大突破，為電動汽車的普及和使用提供了更便捷、高效的充電方式。隨著科技的不斷發(fā)展和應用，直流快速充電已經(jīng)成為現(xiàn)代電動汽車充電的主流方式之一。本文所介紹的25 kW直流快速充電器的設計技巧，以及由安森美所推出的相關解決方案，將有助您加速開發(fā)直流快速充電相關產(chǎn)品，搶占市場先機。
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