-
今天的綠色POL DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)需要高效率和低IQ
由于在機(jī)箱內(nèi)空間有限和冷卻等多種限制因素,以及需要正確的電源跟蹤,以提高系統(tǒng)可靠性,幾乎任何系統(tǒng)的POL DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師都面臨著很多難題。盡管必須克服大量限制因素,設(shè)計(jì)師們還是有路可走的,不同模擬集成電路制造商最近推出的很多穩(wěn)壓器,可提供簡(jiǎn)單、緊湊、高效率和功能豐富的解決方案。
2008-09-29
POL DC/DC 嵌入式 多相工作
-
OLED電源設(shè)計(jì)
OLED具有自發(fā)光、超薄等優(yōu)勢(shì)成為DSC、掌上游戲機(jī)或手機(jī)等產(chǎn)品的理想選擇,這些產(chǎn)品都極具發(fā)展前景。總之,技術(shù)與市場(chǎng)潛力是一個(gè)產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的關(guān)鍵因素。在技術(shù)上,國(guó)內(nèi)OLED廠商的努力已相當(dāng)受到肯定,若能進(jìn)一步提升品牌效應(yīng)、產(chǎn)品定位上的實(shí)力,必將在逐步起飛的OLED產(chǎn)業(yè)中立定卓越的地位。
2008-09-29
oled vdd vss mosfet
-
DC-DC變換器AVP控制方法的分析
隨著VRM輸入容量的越來(lái)越大和動(dòng)態(tài)要求的越來(lái)越嚴(yán)格,AVP控制在VRM中的應(yīng)用被人們重新認(rèn)識(shí)。本文對(duì)AVP控制策略的有源法和無(wú)源法進(jìn)行了理論分析,并采用一種新式檢測(cè)方法實(shí)現(xiàn)AVP控制,并通過(guò)比較實(shí)驗(yàn)證實(shí)了AVP控制方法的優(yōu)越性。
2008-09-29
電壓調(diào)整模塊 降壓控制 有源法 無(wú)源法
-
EMI及無(wú)Y電容手機(jī)充電器的設(shè)計(jì)
本文介紹了與EMI傳導(dǎo)相關(guān)的共模及差模電流產(chǎn)生的原理以及靜點(diǎn)和動(dòng)點(diǎn)的概念,然后詳細(xì)地說(shuō)明了在變壓器結(jié)構(gòu)中使用補(bǔ)償設(shè)計(jì)以及靜點(diǎn)和動(dòng)點(diǎn)的調(diào)整方法,以提高EMI的傳導(dǎo)性能。最后給出了相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)波形和測(cè)試結(jié)果。
2008-09-29
傳導(dǎo)干擾 共模電流 差模電流 Y電容
-
霍爾效應(yīng)技術(shù)提供緊湊型電流測(cè)量傳感器
NANALEM K.K公司的HX傳感器很好地克服了傳統(tǒng)測(cè)量電流方法中的缺點(diǎn),并且滿足了在成本很尺寸上的要求。HX傳感器的核心是一個(gè)霍爾效應(yīng)發(fā)生器,對(duì)關(guān)鍵噪聲具有完美免疫力,在并排安裝在三相應(yīng)用中時(shí),HX電流傳感器引起的相互干擾非常小。
2008-09-29
HX系列 霍爾效應(yīng) 噪聲 干擾
-
基于感應(yīng)耦合比率臂的高精度位移測(cè)量系統(tǒng)
本文討論了比率測(cè)量方法的優(yōu)點(diǎn),介紹了運(yùn)用感應(yīng)耦合比率臂和差動(dòng)式電容位移傳感器設(shè)計(jì)的高精度微小位移測(cè)量系統(tǒng)。給出了一種實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)例子和主要的測(cè)試結(jié)果,說(shuō)明了該設(shè)計(jì)在小位移測(cè)量中的有效性。
2008-09-29
位移測(cè)量 感應(yīng)耦合比率臂 電容傳感器 納米測(cè)量
-
電源應(yīng)用中場(chǎng)效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)
在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中 , 使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管當(dāng)作切換開(kāi)關(guān)已經(jīng)越來(lái)越普遍。此篇文章可帶領(lǐng)各位去判斷何種條件下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管所造成的影響 , 進(jìn)而幫助設(shè)計(jì)者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點(diǎn)。
2008-09-29
場(chǎng)效應(yīng)晶體 UIS 接合面 過(guò)壓
-
電源應(yīng)用中場(chǎng)效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)
在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中 , 使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管當(dāng)作切換開(kāi)關(guān)已經(jīng)越來(lái)越普遍。此篇文章可帶領(lǐng)各位去判斷何種條件下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管所造成的影響 , 進(jìn)而幫助設(shè)計(jì)者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點(diǎn)。
2008-09-29
場(chǎng)效應(yīng)晶體 UIS 接合面 過(guò)壓
-
一種智能化電源的設(shè)計(jì)
隨著電子技術(shù)和電源技術(shù)的發(fā)展,開(kāi)關(guān)電源以體積小、重量輕、功率大、集成度高、輸出組合便利等優(yōu)點(diǎn)而成為電子電路電源的首選。在實(shí)際的工作環(huán)境中,特別是在一些工業(yè)場(chǎng)所中,電磁環(huán)境十分惡劣,常常有異常情況出現(xiàn),本文對(duì)以微處理機(jī)為核心的“透明”電源檢測(cè)技術(shù)輔以提高開(kāi)關(guān)電源抗過(guò)電壓、抗干擾性...
2008-09-29
開(kāi)關(guān)電源 過(guò)電壓監(jiān)測(cè) MODBUS 通信
- 大聯(lián)大世平發(fā)布AI玩具方案:支持多角色定制與20條指令詞,賦能全齡段陪伴
- 破解多通道測(cè)溫難題:Microchip新款I(lǐng)C實(shí)現(xiàn)±1.5°C系統(tǒng)精度
- Bourns擴(kuò)展車規(guī)級(jí)EMI解決方案:雙型號(hào)共模扼流圈覆蓋500至1700Ω阻抗
- Coherent高意突破單纖雙向技術(shù):100G ZR QSFP28相干模塊實(shí)現(xiàn)十倍容量提升
- 面向電動(dòng)汽車與工業(yè)驅(qū)動(dòng):Vishay第七代FRED Pt整流器通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證
- 從“高速”到“穩(wěn)定”:極細(xì)同軸線束如何釋放AI+FPGA視覺(jué)的完整潛能
- 突破能效瓶頸,江波龍SOCAMM2助力AI服務(wù)器降本增效
- 直面1500家中企制裁困局,萬(wàn)里眼國(guó)產(chǎn)90GHz示波器打造“替代標(biāo)桿”
- 德州儀器發(fā)布全新電源管理方案,助力AI數(shù)據(jù)中心邁向800VDC架構(gòu)
- 超越Gbps瓶頸:基于極細(xì)同軸線的高速圖像鏈路EMI控制策略
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall