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占板面積小巧的電路保護高性能替代方案
汽車和工業(yè)應(yīng)用中的電源系統(tǒng)常用的保護方案是使用一個串聯(lián)的鐵芯電感器和高值電解旁路電容器，并輔之以一個高功率瞬態(tài)電壓抑制器和熔絲。這種笨拙的方法占用了大量的電路板面積，本文介紹的用于負(fù)載保護和輸出保持的完整控制解決方案，其占板面積小巧，并免除了龐大笨重的組件和不希望有的電壓降。
2013-07-19
電路保護 保護 LTC4364 二極管
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機頂盒常見接口的ESD保護設(shè)計
隨著機頂盒技術(shù)的發(fā)展，如今的機頂盒在數(shù)據(jù)支持上能完成諸多高清，交互，多模，多格式的解碼。而在接口方面，一般都能夠支持 USB、HDMI、以太網(wǎng)接口、硬盤接口等，但是也帶來了諸多對不同接口保護的要求。本文將針對機頂盒上常見的接口進行相應(yīng)的電路保護設(shè)計。
2013-07-18
機頂盒 ESD 接口 保護器件 電路保護
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設(shè)計新思路：電子通訊產(chǎn)品ESD防護設(shè)計
對于電子通訊產(chǎn)品而言，靜電有著極大的危害，因此，做好電子通訊產(chǎn)品ESD防護設(shè)計十分重要并且必不可少。本文分析了 ESD的危害以及一些ESD防護方案的缺陷并提出了新的ESD防護設(shè)計策略。
2013-07-17
ESD 靜電防護 ESD防護 電子通訊
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設(shè)計技巧：RF電路與天線的EMC設(shè)計
電磁干擾在電子系統(tǒng)與設(shè)備中無處不在，因此如何使電子系統(tǒng)與設(shè)備滿足電磁兼容（EMC）的要求是一項關(guān)鍵技術(shù)。隨著射頻和微波領(lǐng)域的高速發(fā)展，工程師們也越來越關(guān)注RF電路設(shè)計技巧…
2013-07-10
RF 電磁干擾 EMC 干擾 射頻
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很貴很脆弱？數(shù)字邏輯器件的保護該這樣做！
中間電源總線上輸入浪涌、在制造過程中混入水貨或假冒電容器……總是很容易使昂貴的新型數(shù)字處理器面臨過壓風(fēng)險，甚至使 FPGA、ASIC 或微處理器遭受永久性損壞或起火。不想遭遇這些損失？本文教你一個簡單的方法。
2013-07-05
數(shù)字邏輯器件保護 器件保護 電路保護
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如何使用數(shù)字隔離器簡化隔離系統(tǒng)設(shè)計
工業(yè)環(huán)境中的測量器件往往需要進行隔離以確保安全。利用數(shù)字隔離器，可以優(yōu)化隔離系統(tǒng)設(shè)計、降低功耗、保證系統(tǒng)性能，同時無需借助額外的設(shè)計裕量來補償缺失或不完整的器件規(guī)格。本文將介紹使用數(shù)字隔離器進行隔離測量儀器的設(shè)計。
2013-07-03
隔離 隔離器 隔離系統(tǒng) 數(shù)字隔離器
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SiC和GaN，新興功率器件如何選？
新興的SiC和GaN功率器件市場未來10年預(yù)計增長18倍，主要需求市場是電源、光伏逆變器和工業(yè)電機驅(qū)動。SiC肖特基二極管已經(jīng)有10年以上歷史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出現(xiàn)，GaN功率器件更是剛剛才在市場上出現(xiàn)。他們誰會成為未來新興功率器件市場的主角？我們現(xiàn)在應(yīng)該選用他們嗎？
2013-06-19
功率器件 SiC BJT SiC
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巧避兩大因素，延長CMOS使用壽命
對于模擬CMOS而言，有兩大主要危害，其一是靜電，其二是過壓。因此，要做好CMOS的保護，就需從這兩大主要因素入手，避免錯誤地使用CMOS，從而延長CMOS的使用壽命。本文將介紹該如何有效應(yīng)對這兩大危害。
2013-06-19
CMOS 電路 CMOS器件 靜電 過壓
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保護LED免受EOS損傷的兩大防護方案對比
LED 器件很容易受到EOS的損傷，這種損壞有時能夠直接擊壞器件造成失效。本文講到的兩種EOS防護方案，一是用TVS穩(wěn)壓管來進行保護，另一種則是采用PolyZen系列元器件，兩種方案孰優(yōu)孰劣？請看下文。
2013-06-18
EOS LED 電路保護 保護器件 PolyZen
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