你的位置:首頁 > EMC安規(guī) > 正文
設(shè)計技巧:上拉電阻如何搞定單片機抗干擾
發(fā)布時間:2015-11-12 責(zé)任編輯:sherry
【導(dǎo)讀】在電子電路設(shè)計過程中,導(dǎo)致最后調(diào)試結(jié)果異常的很多時候都不是硬件設(shè)計與代碼編寫,而是抗干擾能力太差導(dǎo)致的。在本文中,小編就將從I/O口中的上拉電阻入手來談一談如何增強單片機的抗干擾能力,幫助大家節(jié)省時間,在學(xué)習(xí)的過程中少走彎路。
綜合考慮各I/O口的輸入阻抗,采集速率等因素設(shè)計I/O口的外圍電路。一般決定一個I/O口的輸入阻抗有3種情況:
A:I/O口有上拉電阻,上拉電阻值就是I/O口的輸入阻抗。
一般都使用4K-20K電阻做上拉,(PIC的B口內(nèi)部上拉電阻約20K)。由于干擾信號也遵循歐姆定律,所以在越存在干擾的場合,選擇上拉電阻就要越小,因為干擾信號在電阻上產(chǎn)生的電壓就越小。
由于上拉電阻越小就越耗電,所以在家用設(shè)計上,上拉電阻一般都是10-20K,而在強干擾場合上拉電阻甚至可以低到1K。(如果在強干擾場合要拋棄B口上拉功能,一定要用外部上拉。)
B:I/O口與其它數(shù)字電路輸出腳相連,此時I/O口輸入阻抗就是數(shù)字電路輸出口的阻抗,一般是幾十到幾百歐。
可以看出用數(shù)字電路做中介可以把阻抗減低到最理想,在許多工業(yè)控制板上可以看見大量的數(shù)字電路就是為了保證性能和保護MCU的。
C:I/O口并聯(lián)了小電容。
由于電容是通交流阻直流的,并且干擾信號是瞬間產(chǎn)生,瞬間熄滅的,所以電容可以把干擾信號濾除。但不好的是造成I/O口收集信號的速率下降,比如在串口上并電容是絕不可取的,因為電容會把數(shù)字信號當(dāng)干擾信號濾掉。
但不能并聯(lián)電容的情況并非絕對,如檢測開關(guān)、霍爾元件等器件是能夠進行電容并聯(lián)的,這主要是因為這些器件的開關(guān)量并不具備很高的速率,因此即便增添了電容也是對信號的采集沒有什么大影響的。本文從上拉電阻的角度出發(fā),分享了對于開發(fā)過程中單片機抗干擾的設(shè)計思路,希望能夠幫助大家少走一些彎路。
特別推薦
- 大聯(lián)大世平發(fā)布AI玩具方案:支持多角色定制與20條指令詞,賦能全齡段陪伴
- 破解多通道測溫難題:Microchip新款I(lǐng)C實現(xiàn)±1.5°C系統(tǒng)精度
- Bourns擴展車規(guī)級EMI解決方案:雙型號共模扼流圈覆蓋500至1700Ω阻抗
- Coherent高意突破單纖雙向技術(shù):100G ZR QSFP28相干模塊實現(xiàn)十倍容量提升
- 面向電動汽車與工業(yè)驅(qū)動:Vishay第七代FRED Pt整流器通過AEC-Q101認(rèn)證
技術(shù)文章更多>>
- MIDI協(xié)會公布2025創(chuàng)新獎,Azoteq憑完整運動鍵位傳感器模塊折桂
- vivo攜手亞馬遜云科技共筑全球數(shù)字安全基石,應(yīng)對生成式AI新挑戰(zhàn)
- 產(chǎn)業(yè)里程碑 | 星閃數(shù)字車鑰匙藍皮書在京成功發(fā)布
- 突破“最后一公里” 汽車芯片國產(chǎn)化邁向全鏈條創(chuàng)新時代
- 駕馭傳感器革新浪潮:貿(mào)澤電子為工程師提供一站式設(shè)計與開發(fā)資源
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
濕度傳感器
石英機械表
石英石危害
時間繼電器
時鐘IC
世強電訊
示波器
視頻IC
視頻監(jiān)控
收發(fā)器
手機開發(fā)
受話器
數(shù)字家庭
數(shù)字家庭
數(shù)字鎖相環(huán)
雙向可控硅
水泥電阻
絲印設(shè)備
伺服電機
速度傳感器
鎖相環(huán)
胎壓監(jiān)測
太陽能
太陽能電池
泰科源
鉭電容
碳膜電位器
碳膜電阻
陶瓷電容
陶瓷電容