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IGBT技術——半導體技術與封裝的完美匹配
本文討論了IGBT2、IGBT3 以及SEMITRANS模塊采用的新IGBT4 半導體技術之間的區別，并展示了在某些情況下新IGBT4技術所帶來的性能提升。
2008-10-23
IGBT 半導體 開關 外殼
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變頻調速技術發展現狀及前景展望
本文講了變頻調速技術的發展概況，變頻調速技術國內外現狀以及變頻調速未來的發展方向。
2008-10-23
變頻調速 現狀 發展 變頻器
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變頻技術在設備改造中的應用
本文主要講了SGZ1000-N 型三足式全自動下部卸料離心機的改造，采用變頻器對離心機的電動機進行控制。
2008-10-23
變頻器 調速 輸出頻率
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高壓大功率變頻器在長輸管道上的應用
高壓大功率的大型變頻器在長輸管道輸油生產過程中應用可以節省電力，提高系統穩定性，本文介紹了秦京線的應用實例。
2008-10-23
變頻器 長輸管道 節能
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高壓交流隔離開關和接地開關選用的若干問題
本文分析了高壓交流隔離開關和接地開關選用的若干問題，包括：隔離開關開合母線轉換電流、接地開關開合感應電流、單柱垂直斷口隔離開關的額定接觸區、接地開關的短路持續時間和隔離開關的過載能力、接地開關的長期通流問題、絕緣子爬電距離是否需要進行海拔修正的問題。
2008-10-23
隔離開關 接地開關 轉換電流 隔離電流 接觸區
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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廣交會機電產品成交降13% 歐美客戶狠壓價
機電歡喜紡織愁的出口走勢悄然變化，中國外貿額中占到半壁的機電產品在金融海嘯沖擊下出口增速也很可能下滑。廣交會昨日對外公布第104屆一期情況，機電產品成交不容樂觀。廣交會昨日公布的數據顯示，本屆廣交會第一期到會境外采購商共87305人，出口累計成交164.5億美元，其中機電產品139.2億美元，...
2008-10-22
機電
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西門子變頻器參數設置的探討
本文介紹了西門子變頻器控制方式選擇，快速調試，加減速時間調整，以及轉動慣量設置。
2008-10-22
變頻器 控制方式 快速調試 加減速時間 轉動慣量
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用于軟起動器的晶閘管模塊SEMiSTART
本文介紹了電機起動控制的三種方式，軟起動器對晶閘管的要求，晶閘管模塊中使用的裝配和連接技術以及SEMiSTAT模塊的技術指標。
2008-10-22
電機 晶閘管 裝配 SEMiSTAT模塊
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