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SiC BJT：史上最高效率的1200V功率轉換開關
飛兆半導體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一代替代技術，它可以在更高的溫度下轉換更高的電壓和電流。它允許更高的開關頻率，但能保持相同或更低的開關和導通損耗，從而允許使用更小的電感、電容和散熱器，不僅可降低系統BOM成本，而且可在相同外形因子下提高輸出功率，或...
2013-03-29
飛兆半導體 IGBT 碳化硅 雙極結型晶體管
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集成DC/DC驅動器及MOSFET VR功率級的DrMOS器件
英飛凌近日在2013應用電力電子會議暨展覽會中宣布推出DrBlade：全球第一款采用創新芯片嵌入式封裝技術的集成式器件，它集成了DC/DC 驅動器及MOSFET VR功率級。
2013-03-28
英飛凌 DrBlade DC/DC MOSFET
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【設計指南】如何控制運算放大器增益誤差
在增益單元中設計某個放大器時，為這項工作選擇備選放大器時您需要了解一些事情。您的信號最大帶寬 (SBW) 是多少？放大器閉環噪聲增益 (NG) 是多少，以及考慮中的放大器的增益帶寬產品 (GBWP) 是什么？
2013-03-25
運算放大器 增益誤差 設計指南
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【知識普及】高頻開關電源的組成及分類
電子裝置小型輕量化的關鍵是供電電源的小型化，因此需要盡可能地降低電源電路中的損耗。開關電源中的調整管工作于開關狀態，必然存在開關損耗，而且損耗的大小隨開關頻率的提高而增加。另一方面，開關電源中的變壓器、電抗器等磁性元件及電容元件的損耗，也隨頻率的提高而增加。
2013-03-25
高頻開關電源 開關電源 DC/DC變換器
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可實現更高系統效率及更小系統尺寸的碳化硅MOSFET
科銳宣布量產第二代碳化硅MOSFET器件。相對于同等成本的基于硅器件的系統，科銳新型碳化硅MOSFET器件可實現更高的系統效率及更小的系統尺寸，可為OEM廠商帶來更低的系統成本。
2013-03-25
系統效率 系統尺寸 碳化硅MOSFET
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汽車應用中的電機驅動設計實例
在汽車中，水泵、油泵和助力轉向泵這些負載仍由發動機直接驅動，采用電機驅動這些負載，可大大簡化機械設計，無需采用皮帶和轉輪，同時節省發動機艙內空間。AUIR3330S 提供了一個可以全速范圍驅動任何類型電機的解決方案，其主動di/dt 控制實現了EMI及開關損耗性能的優化。
2013-03-25
汽車 電機驅動 設計實例
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0V~500V、10mA敏感的模擬電路的線性電源選擇
開關電源技術已經成為現代電源的首要選擇，它可以實現從主電源獲得所需的輸出電壓。但是，其通常伴有較高的噪聲，不能用于敏感的模擬電路。這些情況下，最佳的選擇還是線性電源。
2013-03-24
模擬電路 線性電源 開關電源
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如何設計防雷擊浪涌的開關電源
一般建筑物上的避雷針只能預防直擊雷，而強大的電磁場產生的感應雷和脈沖電壓卻能潛入室內危及電視、電話及電子儀表等用電設備。特別是太陽能控制儀表，由于太陽能安裝位置的特殊情況，其使用穩定性是廣大開發人員一直關注的重點。
2013-03-24
雷擊浪涌 開關電源
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降低開關電源噪聲用于高靈敏度的模擬電路
開關電源的特征就是產生強電磁噪聲，若不加嚴格控制，將產生極大的干擾。為了保護開關管免受由于寄生參數等因素引起的振蕩尖峰電壓的沖擊常需要阻尼，阻尼器連到有問題的線圈上，這也可以減小發射。
2013-03-22
開關電源 高靈敏度 模擬電路
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