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變壓器鐵芯中留氣隙可防止磁飽和
單擊式開關(guān)電源變壓器由于輸入電壓為單極性電壓脈沖，當(dāng)脈沖幅度和寬度超過變壓器的伏秒容量時(shí)，變壓器鐵芯將出現(xiàn)磁飽和。為了防止開關(guān)變壓器鐵芯出現(xiàn)磁飽和最簡單的方法是在變壓器鐵芯中留氣隙，或采用反磁場。
2012-12-07
變壓器 鐵芯 氣隙 磁飽和
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如何設(shè)計(jì)滿足終端應(yīng)用抗變壓器飽和需求的電路
本文為您介紹選擇具體變壓器所需的一些步驟，以及如何設(shè)計(jì)一種能夠滿足終端應(yīng)用抗變壓器飽和需求的電路。我們使用的模型為功率因數(shù)校正 (PFC) 拓?fù)洹７治鲋袑⑹褂靡环N商用電流檢測變壓器，用于確定需要的參數(shù)，了解如何利用這種信息設(shè)計(jì)一種可抗飽和的電路。
2012-12-07
變壓器 飽和需求
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用于智能手機(jī)充電器的新款45V整流器，現(xiàn)已量產(chǎn)
Vishay發(fā)布采用SlimSMA封裝的新款45V TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器，高電流密度的器件具有5A正向電流和低至0.37V的VF。可在智能手機(jī)充電器等空間受限應(yīng)用的極性保護(hù)中減少功率損耗，并提高效率。
2012-12-07
整流器 智能手機(jī) Vishay
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什么使得MOSFET性能大打折扣
雖然MOSFET的芯片和封裝不斷改進(jìn)，但是它們是否能有效的應(yīng)用于電源產(chǎn)品依然面臨著不小的挑戰(zhàn)。除了器件結(jié)構(gòu)和加工工藝，MOSFET的性能還受其他幾個(gè)周圍相關(guān)因素的影響：如封裝阻抗、印刷電路板(PCB)布局、互連線寄生效應(yīng)和開關(guān)速度等。
2012-12-07
MOSFET 芯片 封裝 PCB
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如何讓智能手機(jī)電池同時(shí)滿足大容量、體積小、重量輕？
以智能手機(jī)、平板電腦為代表的便攜式電子設(shè)備正以顯著的速度發(fā)展著。便攜式電子設(shè)備的多功能化、高性能化及其便利性使我們使用的機(jī)會增加，也增加了使用時(shí)間。同時(shí)，高性能化也增加了電力的消耗。但是如果電池被大容量化，就會占據(jù)很大的體積和重量。因此，便攜式電子設(shè)備中使用的電池要求具備大容...
2012-12-06
智能手機(jī) 電池 電氣雙層電容
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肖特基二極管的應(yīng)用分析
本文主要講解的是肖特基二極管在電源管理方面的應(yīng)用分析。一般電路都會用到非同步直流/直流轉(zhuǎn)換器，而它要用到一個(gè)續(xù)流的二極管，通常選用的是正向電壓的肖特基管。本文探討如何正確的選擇二極管在電源管理應(yīng)用中的參數(shù)，和如何用這些參數(shù)快速選型。
2012-12-06
電源管理 肖特基二極管
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村田開發(fā)出直流無線供電技術(shù)，高達(dá)70％以上電力傳輸效率
村田制作所開發(fā)出了可大幅提高整個(gè)系統(tǒng)電力傳輸效率（以下稱電力效率）的無線供電技術(shù)。由直流電源經(jīng)無線區(qū)間到達(dá)負(fù)載的電力效率比原來的技術(shù)提高了20～30個(gè)百分點(diǎn)。例如，從直流電源將功率約為75W的直流電供應(yīng)到幾十厘米遠(yuǎn)的負(fù)載時(shí)，最高能以70％以上的電力效率傳輸。
2012-12-06
村田 無線供電 傳輸效率
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峰值效率高達(dá)95%且是同類產(chǎn)品最高的開關(guān)穩(wěn)壓器
ADI推出同類產(chǎn)品中效率最高的開關(guān)穩(wěn)壓器，采用緊湊型4 mm x 4 mm 24引腳LFCSP封裝，可在-40攝氏度至+125攝氏度結(jié)溫范圍內(nèi)工作，效率配置針對低占空比操作進(jìn)行了優(yōu)化，峰值效率高達(dá)95%。
2012-12-06
開關(guān)穩(wěn)壓器 ADI 效率
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可取代效能較低器件同時(shí)節(jié)省數(shù)量的功率MOSFET系列
IR 推出StrongIRFET功率MOSFET系列，適合要求超低導(dǎo)通電阻的工業(yè)應(yīng)用。新器件除了具備超低的導(dǎo)通電阻，其高電流額定值更有助于提升系統(tǒng)的可靠性。若用其取代效能較低的器件，更可節(jié)省器件數(shù)量。
2012-12-05
mosfet IR 導(dǎo)通電阻
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