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飛兆半導體再次出擊
FDPC8011S實現電源設計最高功率密度和最高效率隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側高雙功率芯片非對稱N溝道模塊 FDPC8011S，幫助設計人員應對這一系統挑戰。
2012-05-11
飛兆半導體 電源設計
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高壓負輸出充電泵提供低輸入和輸出紋波
加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2012 年 5 月 10 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出通用高壓充電泵 LTC3260 和 LTC3261。LTC3261 是高壓負輸出充電泵，可提供高達 100mA 的輸出電流。LTC3260 具有與 LTC3261 相同的充電泵，但還包括兩個正及負 LDO 穩壓器，每個 LD...
2012-05-10
高壓 充電泵 LDO LTC3260
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實現兆瓦級太陽能與風力發電變流器小型化和高效化
搭載第6代IGBT芯片的“MPD系列IGBT模塊” 開始發售為實現低碳社會，有效利用可再生能源的太陽能發電和風力發電等兆瓦級大規模發電系統的建設正在不斷增加，對功率調節器等電力轉換設備的小型化和高效化要求也日益提高。想要實現發電系統進一步小型化、高效化，一定要了解搭載第6代IGBT芯片的“MPD系列IGBT模塊”。
2012-05-10
IGBT模塊 MPD系列IGBT模塊 三菱電機
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光伏發電核心技術問題全解析
光能發電是當今世界的尖端科技，將為全人類徹底解決“能源危機”“環境污染”和“可持續發展”等三大世界難題，將做出歷史性、跨世代的偉大貢獻，將為人類利用新能源、新技術方面進入一個嶄新的時代，在現實的發展中存在這若干的核心問題。
2012-05-09
光伏 發電
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太陽能控制器選擇的7大法則
從事太陽能行業多年，認識了朋友同行，了解到很多公司都是從傳統的市電路燈或者其他領域轉到太陽能行業，一些朋友在施工過程中以及在使用過程中出現過很多問題，主要還是對太陽能路燈的配置組合以及相關輔件應用掌握的不夠。
2012-05-09
太陽能 控制器 法則
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Power Integrations完成收購CT-Concept Technologie AG
用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司近日宣布已完成對CT-Concept Technologie AG的收購，自5月1日起生效。
2012-05-09
高壓驅動 驅動電壓 IGBT 模塊
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羅姆開發出世界最小的“VML2”封裝快速恢復二極管！
日本知名半導體制造商羅姆株式會社近日面向智能手機和數碼相機等追求小型、薄型化的各種電子設備，開發出世界最小※1的“VML2”封裝快速恢復二極管。
2012-05-09
快速恢復 二極管 智能手機 數碼相機
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開關電源降低功耗及提高其待機效率的方法
隨著能源效率的日益重要，人們對開關電源待機效率期望越來越高，客戶要求電源制造商的電源產品能滿足綠色能源標準。而大多數開關電源由額定負載轉入待機狀態時，電源效率急劇下降,待機效率不能滿足要求。這就給電源設計工程師們提出了新的挑戰。
2012-05-09
開關電源 功耗 待機效率
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4.5V下1.35mΩ Vishay新一代TrenchFET MOSFET導通電阻創紀錄
Vishay推出新一代TrenchFET Gen IV系列30V N溝道功率MOSFET器件，新器件實現了非常高密度的設計，而沒有明顯增加柵極電荷，在10V電壓下實現了1.0mΩ的極低導通電阻，4.5V下1.35mΩ的導通電阻達到業內最佳水準。
2012-05-09
TrenchFET MOSFET SiRA00DP 導通電阻 Vishay
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