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氮化鎵(GaN):5G時(shí)代提高射頻前端和無線充電效率的新元素
5G的到來將會(huì)給半導(dǎo)體材料帶來革命性的變化,無論是硅襯底還是碳化硅襯底,氮化鎵(GaN)都將獲得快速發(fā)展。從2G到5G,通信頻率在不斷地向高頻發(fā)展,因此基站及通信設(shè)備對射頻器件高頻性能的要求也在不斷提高。在此背景下,氮化鎵(GaN)必將以其獨(dú)特的高頻特性、超高的功率密度,以及優(yōu)越的集成度成為5...
2019-09-27
氮化鎵 5G 射頻前端 無線充電
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射頻電路如何選擇合適的電感器?
本文介紹高頻電感的非理想行為,并幫助您選擇合適的電容和電感用于匹配網(wǎng)絡(luò),DC模塊,晶體和電源去耦等應(yīng)用。
2019-09-26
射頻電路 電感器
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毫米波頻率下PCB線路板材料的特性表征
PCB線路板材料的介電常數(shù)(Dk)或相對介電常數(shù)并不是恒定的常數(shù) – 盡管從它的命名上像是一個(gè)常數(shù)。例如,材料的Dk會(huì)隨頻率的變化而變化。同樣,如果在同一塊材料上使用不同的Dk測試方法,也可能會(huì)測量得出不同的Dk值,即使這些測試方法都是準(zhǔn)確無誤的。
2019-09-26
毫米波 PCB線路板
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如何巧妙解決電機(jī)制器傳導(dǎo)發(fā)射遇到干擾?
良好的接地設(shè)計(jì)不僅能保證電路內(nèi)部互不干擾,而且可以減少電路的干擾發(fā)射,接地技術(shù)是解決電磁兼容問題的常用技術(shù),成本低效果明顯。然而,不恰當(dāng)?shù)慕拥胤绞揭矔?huì)給電路引入干擾,如地環(huán)路干擾。
2019-09-24
電機(jī)制器 干擾
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數(shù)據(jù)中心和通信機(jī)房,需要這樣的功率器件……
GaN的理論優(yōu)勢正在主流設(shè)計(jì)中得以實(shí)現(xiàn),尤其是在數(shù)據(jù)中心和通信機(jī)房電源兩個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,與硅器件相比較,GaN的優(yōu)勢更明顯。采用GaN進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì),廠家和用戶都將能享受到系統(tǒng)成本和運(yùn)營方面的好處。
2019-09-16
數(shù)據(jù)中心 通信機(jī)房 功率器件
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新手不可不知:晶振工作原理 + 晶振ppm
你知道什么是晶振嗎?你知道晶振ppm代表什么意思嗎?你知道晶振的主要參數(shù)以及工作原理嗎?如果你對這些問題存在一定疑惑,不妨看看本文帶來的有關(guān)晶振這四方面的內(nèi)容,讓本文幫你一次性掃清這些個(gè)障礙吧。
2019-09-10
晶振 工作原理 晶振ppm
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德州儀器:DC DC 轉(zhuǎn)換器 EMI 的工程師指南(四)——輻射發(fā)射
這篇系列文章的第 4 部分針對電源轉(zhuǎn)換器(特別是工業(yè)和汽車領(lǐng)域使用的電源轉(zhuǎn)換器)在開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的輻射排放闡述了一些觀點(diǎn)。
2019-09-10
DC DC 轉(zhuǎn)換器 EMI 輻射發(fā)射
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詳解FIR濾波器與IIR濾波器的具體區(qū)別
兩種濾波器都是數(shù)字濾波器。根據(jù)沖激響應(yīng)的不同,將數(shù)字濾波器分為有限沖激響應(yīng)(FIR)濾波器和無限沖激響應(yīng)(IIR)濾波器。對于FIR濾波器,沖激響應(yīng)在有限時(shí)間內(nèi)衰減為零,其輸出僅取決于當(dāng)前和過去的輸入信號(hào)值。對于IIR濾波器,沖激響應(yīng)理論上應(yīng)會(huì)無限持續(xù),其輸出不僅取決于當(dāng)前和過去的輸入信...
2019-09-09
FIR濾波器 IIR濾波器 區(qū)別
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揭曉ADC的“前世今生”:RF采樣ADC給系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來獨(dú)特優(yōu)勢
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器充當(dāng)現(xiàn)實(shí)模擬世界與數(shù)字世界之間的橋梁已有數(shù)十年的歷史。從占用多個(gè)機(jī)架空間并消耗大量電能(例如DATRAC 11位50kSPS真空管ADC的功耗為500W)的分立元件起步,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器現(xiàn)已蛻變?yōu)楦叨燃傻膯涡酒琁C。
2019-09-09
ADC RF采樣
- Supermicro DCBBS:重新定義數(shù)據(jù)中心,一站式實(shí)現(xiàn)速度、性能與能效的飛躍
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