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為什么碳化硅Cascode JFET?可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？
電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術(shù)。
2025-03-11
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貿(mào)澤電子與NXP聯(lián)合推出全新電子書，提供有關(guān)電動汽車電機控制的專業(yè)觀點
專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子貿(mào)澤宣布與NXP Semiconductors合作推出全新電子書，探討工業(yè)和汽車等系統(tǒng)的電氣化對于電機控制技術(shù)進步和創(chuàng)新的高依賴度。高效的電機控制系統(tǒng)對于實現(xiàn)出色的電動汽車 (EV) 性能至關(guān)重要。NXP的新電子書展示了設(shè)計工程師如何減少功率損耗并改善系統(tǒng)效率，以提高電動汽車的可靠性、行駛里程和安全性。
2025-03-11
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SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來了！
隨著Al 相關(guān)的工作負載日益復雜且能耗不斷提升，能夠兼具高能效與高壓處理能力的可靠硅碳化物（SiC）JFET 變得愈發(fā)關(guān)鍵。在此背景下，安森美（onsemi）的SiC Cascode JFET技術(shù)成為了焦點。本文將深入剖析安森美SiC Cascode JFET，涵蓋Cascode（共源共柵）結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵參數(shù)解析、并聯(lián)振蕩現(xiàn)象的探討，以及實用的設(shè)計指導原則。接下來，文章將進一步闡述在并聯(lián)應用中面臨的挑戰(zhàn)。
2025-03-10
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2025上海慕展：安芯易攜萬元“芯”意而來，亮點搶先看！
15場科技論壇，讓展會更有“深”度 作為全球電子科技領(lǐng)域的頂級展會之一，慕尼黑上海電子展（electronica China）已走過20年的輝煌歷程，它不僅是電子科技創(chuàng)新與技術(shù)交流的頂級平臺，更是匯聚全球智慧力量的科技盛宴。
2025-03-06
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安森美擬以每股35.10美元現(xiàn)金收購Allegro MicroSystems
安森美于美國時間3月5日披露了向Allegro MicroSystems, Inc. (以下簡稱"Allegro") （美國納斯達克股票代號：ALGM）董事會提交的收購提案的詳情，以每股35.10美元的現(xiàn)金收購Allegro的所有已發(fā)行普通股，按完全稀釋后的股本計算，對應的隱含企業(yè)價值為69億美元。
2025-03-06
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SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！
隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設(shè)計指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識和并聯(lián)設(shè)計。
2025-03-06
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第16講：SiC SBD的特性
SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性。
2025-03-03
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三安與意法半導體重慶8英寸碳化硅晶圓合資廠正式通線
服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM) ，和中國化合物半導體龍頭企業(yè)（涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產(chǎn)品）三安光電（上海證券交易所代碼：600703）今日宣布，雙方在重慶設(shè)立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠（即“安意法半導體有限公司”，以下簡稱安意法）現(xiàn)已正式通線。這一里程碑標志著意法半導體和三安正朝著于2025年年底前實現(xiàn)在中國本地生產(chǎn)8英寸碳化硅這一目標穩(wěn)步邁進，屆時將更好地滿足中國新能源汽車、工業(yè)電源及能源等市場對碳化硅日益增長的需求。
2025-02-27
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全民智駕熱潮下，ADAS系統(tǒng)對電源芯片的四大需求
南芯科技在 ADAS 電源芯片領(lǐng)域早有布局，并于去年發(fā)布了單芯片車載攝像頭 PMIC 系列，通過安全高效的電源管理提升 ADAS 系統(tǒng)攝像頭的穩(wěn)定性與可靠性。其中，SC6201Q 已于去年實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，符合 ASIL-B 功能安全標準要求的 SC6205Q 和 SC6206Q 也已步入規(guī)模量產(chǎn)階段，持續(xù)為 ADAS 應用保駕護航。
2025-02-26
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貿(mào)澤電子與Amphenol聯(lián)合推出全新電子書探索連接技術(shù)在電動汽車和電動垂直起降飛行器中的作用
注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Amphenol合作推出全新電子書《9 Experts Discuss the Role of Connectivity in e-Mobility》（9位專家探討連接技術(shù)在電動出行中的作用），深入探討電動汽車中的連接和傳感器技術(shù)。書中，來自交通運輸行業(yè)和Amphenol的專家針對支持當今純電動/混合動力汽車 (EV/HEV) 以及電動垂直起降 (eVTOL) 飛行器獨特需求的技術(shù)與策略提供了深度見解。
2025-02-22
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2
電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產(chǎn)品系列。
2025-02-21
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意法半導體為數(shù)據(jù)中心和AI集群帶來更高性能的云光互連技術(shù)
服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 推出了新一代專有硅光技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心和 AI 集群帶來性能更高的光互連解決方案。隨著 AI 計算需求的指數(shù)級增長，計算、內(nèi)存、電源以及這些資源的互連都面臨著性能和能效的挑戰(zhàn)。意法半導體新推出的硅光技術(shù)和新一代 BiCMOS 技術(shù)可以幫助云計算服務(wù)商和光模塊廠商克服這些挑戰(zhàn)。計劃從 2025 年下半年開始，800Gb/s 和 1.6Tb/s 光模塊將逐步提升產(chǎn)量。
2025-02-21
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