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利用SiC FET降低電磁干擾和開(kāi)關(guān)損耗
器件緩沖似乎是處理開(kāi)關(guān)過(guò)沖、振鈴和損耗的一種“野蠻”解決方案，而這對(duì)于諸如IGBT之類(lèi)較老的技術(shù)來(lái)說(shuō)確實(shí)如此。但是，寬禁帶器件，尤其是SiC FET，可以將該技術(shù)用為柵極電阻調(diào)諧的優(yōu)良替代方案，以提供較低的總損耗。
2021-08-20
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大功率晶閘管參數(shù)解析之正向特性
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開(kāi)關(guān)、SVC和電解氫等場(chǎng)合，但大多數(shù)工程師對(duì)這類(lèi)雙極性器件的了解不及對(duì)IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動(dòng)態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。
2021-08-16
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IGBT驅(qū)動(dòng)器的電流隔離
通常，以以下方式描述IGBT（絕緣柵雙極晶體管）：“ IGBT是場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極晶體管的組合，其中N溝道FET控制雙極晶體管”。盡管這句話(huà)很好地描述了基礎(chǔ)知識(shí)，但在高功率范圍的IGBT應(yīng)用中，IGBT控制電路的復(fù)雜性實(shí)際上要比控制小MOSFET時(shí)要高得多。
2021-08-13
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非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器與功率元器件
ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC，還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器，再介紹ROHM超級(jí)結(jié)MOSFET PrestoMOSTM。
2021-08-05
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瑞能半導(dǎo)體憑碳化硅器件躋身行業(yè)前列 聚焦新賽道持續(xù)研發(fā)穩(wěn)固核心競(jìng)爭(zhēng)力
近日，瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen（以下簡(jiǎn)稱(chēng)Markus）的媒體溝通會(huì)在上海靜安洲際酒店舉行，瑞能半導(dǎo)體全球市場(chǎng)總監(jiān)Brian Xie同時(shí)出席本次媒體溝通會(huì)。溝通會(huì)上首先回顧了瑞能半導(dǎo)體自2015年從恩智浦分離出后，從全新的品牌晉升為如今的知名國(guó)際品牌的過(guò)程中，在六年內(nèi)保持的相當(dāng)規(guī)模的成長(zhǎng)，并取得的驕人成績(jī)；結(jié)合瑞能半導(dǎo)體近期推出的第六代碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多種系列產(chǎn)品，明確了在碳化硅器件行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位；在分享后續(xù)發(fā)展策略的同時(shí)，強(qiáng)調(diào)了瑞能半導(dǎo)體未來(lái)的產(chǎn)品規(guī)劃，會(huì)從傳統(tǒng)消費(fèi)市場(chǎng)擴(kuò)展到工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域應(yīng)用布局，更加著眼在消費(fèi)電子、可再生能源、大數(shù)據(jù)和汽車(chē)電子領(lǐng)域，以及針對(duì)與國(guó)內(nèi)外眾多知名客戶(hù)的合作內(nèi)容和解決方案展開(kāi)了交流。
2021-08-04
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如何提高汽車(chē)芯片進(jìn)化電池管理系統(tǒng)的可靠性？
新能源汽車(chē)最核心和最貴的兩個(gè)器件是 IGBT 和電芯，圍繞這兩個(gè)器件其實(shí)在三電系統(tǒng)檢測(cè)和保護(hù)中芯片起到了很大的作用，隨著汽車(chē)內(nèi)電壓從 12V、48V、200V+、400V+最后到 800V，監(jiān)測(cè)和保護(hù)的芯片電路的功能重要性也越來(lái)越重要。當(dāng)然這部分成本在 BMS、逆變器里面也占了不小的成本比例。
2021-08-03
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探索高壓輸電——第2部分：電壓源換流器
VSC目前已成為首選實(shí)施對(duì)象，原因如下：VSC具有較低的系統(tǒng)成本，因?yàn)樗鼈兊呐湔颈容^簡(jiǎn)單。VSC實(shí)現(xiàn)了電流的雙向流動(dòng)，更易于反轉(zhuǎn)功率流方向。VSC可以控制AC側(cè)的有功和無(wú)功功率。VSC不像LCC那樣依賴(lài)于AC網(wǎng)絡(luò)，因此它們可以向無(wú)源負(fù)載供電并具有黑啟動(dòng)能力。使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）閥，則無(wú)需進(jìn)行晶閘管所需的換流操作，并可實(shí)現(xiàn)雙向電流流動(dòng)。
2021-07-08
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用NTC為功率模塊做溫控效果如何？
溫度控制是 MOSFET 或 IGBT 功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些 MOSFET 配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來(lái)監(jiān)控溫度。半導(dǎo)體硅 PTC 熱敏電阻可以很好進(jìn)行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測(cè)器可以用較低阻值，達(dá)到更高的檢測(cè)線性度。無(wú)論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結(jié)裸片，NTC 熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設(shè)計(jì)得當(dāng)，可確保模塊正確降額，并最終在過(guò)熱或外部溫度過(guò)高的情況下關(guān)斷模塊。
2021-07-04
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什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌？
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開(kāi)關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來(lái)的應(yīng)用速度與日俱增，它的工作速度非常快，以至于開(kāi)關(guān)時(shí)的電壓和電流的變化已經(jīng)無(wú)法忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。
2021-06-10
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如何使用有源米勒鉗位電路來(lái)減輕寄生效應(yīng)
本文主要介紹了由于米勒電容器引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)，以及如何使用有源米勒鉗位電路來(lái)減輕寄生效應(yīng)。在操作IGBT時(shí)面臨的常見(jiàn)問(wèn)題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動(dòng)器（單電源驅(qū)動(dòng)器）中，這種影響是明顯的。
2021-05-19
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瑞能半導(dǎo)體將攜IGBT和碳化硅等功率器件新品亮相2021慕尼黑上海電子展覽會(huì)
中國(guó)上海 - 2021年4月7日 — 2021慕尼黑上海電子展覽會(huì)即將于4月14日至16日在上海新國(guó)際博覽中心舉辦。慕尼黑上海電子展作為電子行業(yè)展覽，是行業(yè)內(nèi)重要的盛事。本屆慕尼黑上海電子展覽會(huì)將匯聚近千家國(guó)內(nèi)外優(yōu)質(zhì)電子企業(yè)，涵蓋從產(chǎn)品設(shè)計(jì)到應(yīng)用落地的上下游產(chǎn)業(yè)，展示內(nèi)容包括了半導(dǎo)體、傳感器、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)、汽車(chē)電子及測(cè)試等。
2021-04-08
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IGBT雙脈沖測(cè)試詳解
電源設(shè)備硬件主功率部分的電路性能直接影響產(chǎn)品品質(zhì)，但開(kāi)發(fā)過(guò)程中，在樣機(jī)測(cè)試階段才能對(duì)其性能進(jìn)行評(píng)測(cè)。有些公司為保證產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)度，僅采取不得已的補(bǔ)救措施，產(chǎn)品不僅非最優(yōu)設(shè)計(jì)，甚至?xí)o產(chǎn)品的質(zhì)量埋下隱患。而我司在產(chǎn)品設(shè)計(jì)初期就采用IGBT雙脈沖測(cè)試，提前對(duì)硬件電路設(shè)計(jì)進(jìn)行多維度測(cè)試評(píng)估，在保證產(chǎn)品是最優(yōu)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，提高產(chǎn)品開(kāi)發(fā)效率。
2021-02-07
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