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創實技術electronica 2024首秀：加速國內分銷商海外拓展之路
作為全球規模最大、最具影響力的電子元器件展會，備受矚目的2024德國慕尼黑國際電子元器件博覽會（electronica 2024）于2024年11月12-15日，在德國·慕尼黑展覽中心盛大舉行。科技日新月異，電子元器件作為信息技術的基石，正再一次引領全球半導體產業的新一輪變革。時隔2年之久，疊加全球科技和經濟大變局，展示面積近17,000平方米的electronica 2024，吸引了來自超50個國家和地區的3,000多家參展廠商齊聚，成為史上規模之最。
2024-11-26
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功率器件熱設計基礎（三）——功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-11-25
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意法半導體披露 2027-2028 年財務模型及2030年目標實現路徑
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 于前天在法國巴黎舉辦了資本市場日活動。在公司戰略保持不變的框架內，意法半導體重申了200億+美元的營收目標和相關財務模型，預計將在 2030 年實現這一目標。意法半導體還制定了一個中期財務模型，預計2027-2028年營收約為180 億美元，營業利潤率在 22% 至 24% 之間。
2024-11-25
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【“源”察秋毫系列】多次循環雙脈沖測試應用助力功率器件研究及性能評估
隨著電力電子技術的飛速發展，功率器件在電動汽車、可再生能源、智能電網等領域的應用日益廣泛。這些應用對功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動汽車領域，功率器件需要在高電壓、高電流和高溫環境下穩定工作，這對器件的耐久性和可靠性是一個巨大的挑戰。同時，隨著SiC等寬禁帶半導體材料的興起，功率器件的性能得到了顯著提升，但同時也帶來了新的測試需求。如何在保證測試效率的同時，準確評估這些先進功率器件的性能和壽命，成為了行業發展的關鍵。
2024-11-23
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功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-11-23
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第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現對n型區域和p型區域導電性控制。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。
2024-11-19
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韌性與創新并存，2024 IIC創實技術再獲獎分享供應鏈挑戰下的自我成長
11月5日-6日，由全球電子行業知名媒體AspenCore主辦的國際集成電路展覽會暨研討會（IIC Shenzhen 2024）在深圳福田會展中心7號館圓滿落幕。作為業界頗具影響力的系統設計峰會，IIC Shenzhen 2024再次為半導體產業搭建了一個專業的交流平臺，聚集國內外電子產業領袖、管理人員、設計精英及決策者，聚焦重大前沿新興技術及產品、市場應用以及供應鏈發展變遷和趨勢，以此助推產業的創新穩健發展。
2024-11-19
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貿澤電子與Analog Devices聯手推出新電子書探討電子設計中的電源效率與穩健性
貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 聯手推出一本新電子書，重點介紹優化電源系統的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（面向未來的供電：兼顧效率與穩健性的先進電源解決方案）這本電子書中，ADI和貿澤的主題專家對電源系統中的重要組件、架構和應用進行了深入分析。
2024-11-15
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兆易創新MCU新品重磅揭幕，以多元產品和方案深度解鎖工業應用場景
業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice（股票代碼 603986）今日在上海舉辦了以“勇躍?芯征程”為主題的新品發布會，來自工業和數字能源等領域的行業伙伴齊聚一堂，共襄盛舉。本發布會中，兆易創新展現了其在工業自動化、數字能源等領域的最新成果，不僅重磅揭幕了兩款MCU新品——EtherCAT?從站控制芯片和GD32G5系列Cortex?-M33內核的高性能MCU，還同步推出一系列搭載全新MCU產品的電機控制和數字能源方案。與此同時，眾多合作伙伴也于發布會首次推出基于GD32 MCU的創新解決方案。這不僅彰顯了兆易創新在工業及數字能源領域的持續關注與堅定承諾，也體現出公司與行業伙伴之間緊密的合作關系和堅實的市場基礎。
2024-11-14
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功率器件的熱設計基礎（二）——熱阻的串聯和并聯
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-11-12
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采用能量收集技術為嵌入式系統設計永續供電
許多無法連接市電的嵌入式系統通常會采用電池供電，但當電池電量用完時，更換電池的維護成本相對較高，并造成相當多的困擾，若能通過能量收集技術來為系統永續供電，便可解決這個問題。本文將為您介紹如何利用能量收集技術來建立永久運行的嵌入式系統，以及由Silicon Labs（芯科科技）推出的相關解決方案。
2024-11-12
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宜普電源轉換公司勝訴，美國國際貿易委員會終裁確認英諾賽科侵權
宜普電源轉換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC, 以下簡稱宜普公司）今日宣布美國國際貿易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）全體委員會維持此前的初步裁定，確認英諾賽科侵犯了宜普公司的核心氮化鎵技術專利。該相關專利對人工智能、衛星、快速充電器、仿人機器人、自動駕駛以及其他許多技術的發展均至關重要。美國國際貿易委員會決定禁止英諾賽科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company Co., Ltd.）和其子公司（以下簡稱英諾賽科）在未獲宜普公司授權的情況下將相關氮化鎵產品進口至美國。
2024-11-11
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