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電磁兼容EMC中的屏蔽技術分析
電磁場的屏蔽可分為靜電屏蔽、靜磁屏蔽和電磁屏蔽三種情況。本文描述了靜電屏蔽、靜磁屏蔽、電磁屏蔽的物理內容、物理條件、屏蔽作用等以及它們之間的聯系。
2008-10-12
靜電 屏蔽 靜磁 電磁
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電磁兼容EMC中的屏蔽技術分析
電磁場的屏蔽可分為靜電屏蔽、靜磁屏蔽和電磁屏蔽三種情況。本文描述了靜電屏蔽、靜磁屏蔽、電磁屏蔽的物理內容、物理條件、屏蔽作用等以及它們之間的聯系。
2008-10-12
靜電 屏蔽 靜磁 電磁
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RFID 技術原理及其射頻天線設計
首先簡要介紹RFID 技術的基本工作原理,然后介紹了幾種基本的RFID 射頻天線及其工作原理,并針對普遍使用的偶極子天線在RFID 系統中方向性上的不足提出改進,最后,給出一個具有全向收發功能的RFID 天線設計.
2008-10-12
RFID 技術 天線 偶極子
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1.9GHz基站前端射頻LNA仿真與實現研究
本文給出了基于E-pHEMT管ATF-54143和混合耦合器2A1306-3的射頻低噪聲放大器的設計。E-pHEMT管的低噪聲系數和高OIP3使它在高動態范圍電路設計上具有很大的優勢,并且該放大器的技術指標達到了CDMA基站的接收前端對低噪聲放大器的規范要求,具有很好的應用前景。
2008-10-12
截點 E-pHEMT 平衡結構 LNA 仿真
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阻抗匹配
本文詳細討論了傳輸線的阻抗匹配問題。重點介紹了串聯終端匹配和并聯終端匹配，提出將訊號的傳輸看成軟管送水澆花和傳輸線之終端控管技術。
2008-10-12
傳輸線 阻抗匹配 訊號 特性阻抗
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RF功率MOSFET產品及其工藝開發
本文通過分析RF功率 LDMOSFET的性能和結構特征，設計出RF 功率 LDMOSFET器件結構，通過工藝和器件模擬確定了關鍵參數，并設計了一套符合6寸芯片生產線的制造工藝流程，對工藝中的難點提出了解決方案。
2008-10-12
RF MOSFET 性能 工藝
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運放式射頻放大器
本文詳細介紹了放大器的基本拓撲和參數，如果價格可以接受的話，運放，特別是CFB運放非常適合射頻設計。
2008-10-12
運放 射頻 CFB
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CDS2C05HDMI1/CDS3C05HDMI：EPCOS高速數據線ESD防護CeraDiode
愛普科斯現可提供0402和0603尺寸的CeraDiodes，其特點是標準值為0.6pF的極低的電容值。因此，該類產品適合于高速數據線的ESD防護，如USB、以太網、Firewire、eSATA和HDMI。
2008-10-11
ESD防護 CeraDiode CDS2C05HDMI1 CDS3C05HDMI
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霍爾效應技術提供緊湊型電流測量傳感器
通常測量3-20A范圍內電流的方法主要有以下兩種：采用電阻分流器的傳統測量方法，和使用電流傳感器。新的研發隊伍融合了兩家公司的專業經驗，已經重新設計了日本最暢銷的產品SY系列，并把它發展成為HX系列。
2008-10-11
霍爾效應 LEM SY HX
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