【導讀】安森美發布垂直氮化鎵功率半導體，采用獨家GaN-on-GaN技術，實現電流垂直導通。新品支持更高工作電壓與更快開關頻率，功耗降低近50%，體積更小。該技術面向AI數據中心、電動汽車、可再生能源等領域，助力提升系統能效與功率密度，現已向客戶提供樣品。
安森美發布垂直氮化鎵（GaN）半導體：為人工智能（AI）與電氣化領域
帶來突破性技術
安森美基于全新GaN-on-GaN技術，其垂直GaN架構為功率密度、能效和耐用性樹立新標桿
核心摘要
隨著全球能源需求因 AI 數據中心、電動汽車以及其他高能耗應用而激增，安森美推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導體，為相關應用的功率密度、能效和耐用性樹立新標桿。這些突破性的新一代 GaN-on-GaN 功率半導體能夠使電流垂直流過化合物半導體，能實現更高的工作電壓和更快的開關頻率，助力AI 數據中心、電動汽車（EV）、可再生能源，以及航空航天等領域實現更節能、更輕量緊湊的系統。
要點
· 專有的GaN-on-GaN技術實現更高壓垂直電流導通，支持更快的開關速度和更緊湊的設計。
· 這一突破性方案降低能量損耗和熱量，損耗減少近50%。
· 由安森美在紐約錫拉丘茲的研發團隊開發，涵蓋基礎工藝、器件架構、制造及系統創新的130多項專利。
· 安森美向早期客戶提供700V和1,200V器件樣品。
安森美的垂直GaN技術是一項突破性的功率半導體技術，為AI和電氣化時代樹立了在能效、功率密度和耐用性方面的新標桿。該技術在安森美紐約錫拉丘茲的工廠研發和制造，并已獲得涵蓋垂直GaN技術的基礎工藝、器件設計、制造以及系統創新的130多項全球專利。
“垂直GaN是顛覆行業格局的技術突破，鞏固了安森美在能效與創新領域的領先地位。隨著電氣化和人工智能重塑產業格局，能效已成為衡量進步的新標桿。我們的電源產品組合中新增垂直GaN技術，賦能客戶突破性能邊界，是打造更具競爭力產品的理想選擇。安森美這一突破，正開創以能效與功率密度為制勝關鍵的未來。”安森美企業戰略高級副總裁 Dinesh Ramanathan說。
世界正步入一個全新的時代，能源正成為技術進步的關鍵制約因素。從電動汽車和可再生能源，到如今甚至超過一些城市耗電量的AI數據中心，電力需求的增長速度遠超我們高效發電與輸電的能力。如今，每一瓦的節能都至關重要。
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安森美的垂直氮化鎵技術采用單芯片設計，可應對1,200伏及以上高壓，高頻開關大電流，能效卓越?；谠摷夹g構建的高端電源系統能降低近50%的能量損耗，同時因其更高的工作頻率，因而電容器和電感等被動元件尺寸可縮減約一半。而且，與目前市售的橫向GaN器件相比，垂直氮化鎵器件的體積約為其三分之一。因此，安森美的垂直氮化鎵尤為適合對功率密度、熱性能和可靠性有嚴苛要求的關鍵大功率應用領域，包括：
· AI數據中心：減少元器件數量，提高AI計算系統800V DC-DC轉換器的功率密度，顯著優化單機架成本
· 電動汽車：打造更小、更輕、更高效的逆變器，提升電動汽車續航里程
· 充電基礎設施：實現更快、更小、更穩健的充電設備
· 可再生能源：提升太陽能和風能逆變器的電壓處理能力，降低能量損耗
· 儲能系統（ESS）：為電池變流器和微電網提供快速、高效、高密度的雙向供電
· 工業自動化：開發體積更小、散熱性能更好、能效更高的電機驅動和機器人系統
· 航空航天：打造性能更強、穩健性更高、設計更緊湊的方案
目前市售的大多數GaN器件都采用非氮化鎵襯底，主要是硅或藍寶石襯底。對于超高壓器件，安森美的垂直氮化鎵（vGaN）采用GaN-on-GaN技術，使電流能夠垂直流過芯片，而不是沿表面橫向流動。這設計可實現更高的功率密度、更優異的熱穩定性，且在極端條件下性能依舊穩健。憑借這些優勢，vGaN全面超越了硅基氮化鎵（GaN-on-silicon）和藍寶石基氮化鎵（GaN-on-sapphire）器件，提供更高的耐壓能力、開關頻率、可靠性以及耐用性。這有助于開發更小、更輕便、更高效的電源系統，同時降低散熱需求和整體系統成本。主要優勢包括：
? 更高的功率密度：垂直GaN能以更小的尺寸承受更高的電壓和更大的電流
? 更高的能效：在功率轉換過程中減少能量損耗，降低發熱量和散熱成本
? 系統更緊湊：更高的開關頻率能縮減電容器和電感器等無源元件的尺寸
供貨
目前安森美向早期客戶提供樣品。
