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英飛凌推出CoolSiC 1200V SiC JFET器件 開關損耗大幅降低
英飛凌推出新的CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，與IGBT相比，新型 CoolSiC 1200V SiC JFET大幅度降低了開關損耗，在不犧牲系統總體效率的情況下，可以支持更高的開關頻率。設計人員可在不增加太陽能逆變器體積的情況下，實現更高的輸出功率。
2012-06-21
CoolSiC SiC 碳化硅 直驅 太陽能逆變器 英飛凌
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怎樣正確合理地選用DC/DC模塊電源
怎樣正確合理地選用DC/DC模塊電源呢，筆者將從DC/DC模塊電源開發設計的角度，結合近年來鼎立信公司模塊電源推廣使用過程中得到的用戶信息反饋，談一談這方面的問題，以供廣大系統設計人員參考。
2012-06-21
DC/DC 模塊電源
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如何查找適用于您應用的降壓轉換器類型
降壓電源轉換器自 20 世紀 60 年代開始應用于電子元件，自那以后，人們開發出了眾多基于降壓電源轉換原理的型號。 特別是 IC 制造商開發了許多不同類型的控制電路，可以滿足各種不同的靜態和動態響應要求。此高密謀意味著，對于需要指定電源 IC 但又非電源專家的設計工程師來說，這是件令人頭痛的事...
2012-06-21
降壓 轉換器
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羅姆推出耐壓30V功率MOSFET，產品陣容擴充達16種
近年來，隨著服務器和筆記本電腦等的高性能化發展，CPU等的功耗不斷增加，工作電壓越發低電壓化，設備的電源電路的溫升和電池驅動時間減少已成為很大問題。在這種情況下，在同期整流方式降壓型DC/DC轉換器等各種電源電路中內置功率MOSFET，使之承擔與提高電源的電力轉換效率直接相關的重要作用。為...
2012-06-20
羅姆 MOSFET DC/DC
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電源效率的新突破：LLC 輸出的同步整流
隨著“整個負載范圍內都保持超高的效率”這一要求成為產品規格的一部分，設計工程師在評審 AC/DC 電源拓撲時都將減少能耗作為具體的目標。 圖 1顯示了一個能提供一流效率的拓撲示例。 本文由 Future Electronics(EMEA) 公司的技術項目經理John Stephens 編著，應廣大 IC制造商的要求介紹了如何處理此...
2012-06-20
電源 LLC 輸出 同步整流
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飛兆半導體開發FPS?綠色模式功率開關器件
開關電源(Switch mode power supply, SMPS)設計人員需要節省空間的高成本效益電源解決方案，具有高能量效率，優化的系統性能和更高的可靠性。為了幫助應對這些設計復雜性挑戰，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出FSL206MRx集成式脈寬調制器(PWM)控制器。
2012-06-19
飛兆 FSL206MRx SMPS
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TDK-EPC新款1608積層功率電感器適用于便攜設備電源回路
TDK-EPC開發了積層功率電感器MLP1608-V系列，該產品采用低損耗鐵氧體為磁性材料，外形為1608，與2012系列相比，體積減少約50%，主要應用于智能電話、手機、數碼相機等移動設備的電源回路。
2012-06-19
功率電感 MLP1608-V 電源回路 TDK-EPC
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技術觀點：解密準共振 DC/DC 轉換器設計
與返馳式 DC/DC 轉換器拓撲相比，準共振設計不僅能提供高能效，而且生成的電磁干擾 (EMI) 也較低，使得它特別適合噪音敏感的應用，例如電視機或音頻設備。然而，實施工作變得更加龐大，令工程師感到恐懼，這往往使工程師推遲探索上述這些好處。在這篇文章中，Future Electronics（波蘭）的技術經理 ...
2012-06-19
準共振 DC/DC 轉換器
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羅姆實現SiC-SBD與SiC-MOSFET一體化封裝 可替代Si-IGBT
羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，與Si-IGBT相比，工作損耗降低了70％，達到50kHz以上的開關頻率
2012-06-18
SiC-SBD SiC-MOSFET IGBT 羅姆 逆變器
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