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一種電子引信抗電磁干擾封裝技術(shù)
隨著信息時(shí)代的到來(lái)，引信逐步向智能化方向發(fā)展，各類新型電子引信由于采用了大量的電子器件和電路，隨之產(chǎn)生了易受各種電磁脈沖武器和電磁環(huán)境干擾和毀傷的問(wèn)題，導(dǎo)致引信失效的現(xiàn)象時(shí)有發(fā)生。
2012-02-15
抗電磁 超寬帶 電磁干擾 HPM
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主變差動(dòng)保護(hù)原理分析
主變差動(dòng)保護(hù)是變壓器的主要保護(hù)手段，基本原理是反應(yīng)被保護(hù)變壓器各端流入和流出電流的差，在保護(hù)區(qū)內(nèi)故障，差動(dòng)回路中的電流值大于整定值，差動(dòng)保護(hù)瞬時(shí)動(dòng)作，而在保護(hù)區(qū)外故障，主變差動(dòng)保護(hù)則不應(yīng)動(dòng)作。受變壓器勵(lì)磁電流、接線方式、電流互感器誤差等因素的影響，使差動(dòng)回路中產(chǎn)生不平衡電流，...
2012-02-15
主變 差動(dòng) 保護(hù)原理 電流互感
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鋰離子電池安全性問(wèn)題
目前鋰離子電池電解液使用碳酸酯作為溶劑，其中線型碳酸酯能夠提高電池的充放電容量和循環(huán)壽命，但是它們的閃點(diǎn)較低，在較低的溫度下即會(huì)閃燃，而氟代溶劑通常具有較高的閃點(diǎn)甚至無(wú)閃點(diǎn)，因此使用氟代溶劑有利于抑制電解液的燃燒。目前研究的氟代溶劑包括氟代酯和氟代醚。
2012-02-15
鋰離子 電池 安全性 電解質(zhì)
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激光焊接技術(shù)在傳感器生產(chǎn)中應(yīng)用
根據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB7665-87，傳感器定義為：能感受規(guī)定的被測(cè)量并按照一定的規(guī)律轉(zhuǎn)換成可用輸出信號(hào)的器件裝置。傳感器作為檢測(cè)工具，要求檢測(cè)研究對(duì)象的物理或化學(xué)的信息，其工作過(guò)程要求穩(wěn)定、可靠、精度高，所以對(duì)傳感器有以下幾個(gè)要求：
2012-02-15
激光焊接 傳感器 壓力傳感器 力傳感器
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配電開(kāi)關(guān)在LED應(yīng)用中的技術(shù)分析
高功率LED正越來(lái)越多地被運(yùn)用于各種領(lǐng)域，包括汽車照明、照相手機(jī)閃光燈、舞臺(tái)燈光、場(chǎng)所照明、夜景照明、閃光燈、自行車燈和汽車行駛燈。本文將討論在LED應(yīng)用中采用配電開(kāi)關(guān)的各個(gè)技術(shù)問(wèn)題。
2012-02-15
配電開(kāi)關(guān) LED應(yīng)用 技術(shù)分析 照相
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V850E2/PJ4-E:瑞薩電子推出全新微控制器系列
全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”）宣布開(kāi)發(fā)出了一款全新32位微控制器（MCU）V850E2/PJ4-E，該器件采用片上旋變解碼器。這款全新微控制器可提高汽車控制系統(tǒng)的性能并降低其系統(tǒng)成本，其中包括HEV/EV的電機(jī)控制及其他汽車應(yīng)用等。
2012-02-15
V850E2/PJ4-E 瑞薩電子 微控制器
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電路設(shè)計(jì)中三極管和mos管的區(qū)別
我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開(kāi)關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別 工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制.2、成本問(wèn)題：三極管便宜，MOS管貴。3、功耗問(wèn)題：三極管損耗大。
2012-02-14
電路設(shè)計(jì) 三極管 mos管 雙極晶體管
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電動(dòng)汽車充電電池性能退化原因何在
電池的性能退化一方面是使用和老化的自然結(jié)果，另一方面則由于缺乏維護(hù)、苛刻的使用環(huán)境以及不良的充電操作等等加速其劣化。下面將探討充電電池各種難以克服的問(wèn)題、其原因及彌補(bǔ)這些問(wèn)題的方法。
2012-02-14
電動(dòng)汽車 充電電池
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HOMSEMI中低壓MOSFET全面升級(jí)8英寸0.18μm Trench工藝
2011年12月，廣州成啟半導(dǎo)體有限公司宣布，HOMSEMI中低壓MOSFET全面使用8英寸、0.18μm、Trench工藝晶圓。成啟半導(dǎo)體表示，這次產(chǎn)品升級(jí)已經(jīng)過(guò)一年準(zhǔn)備和試產(chǎn)，將使Power MOSFET的原胞密度提高、RDS（ON）降低、QG降低，提高整機(jī)效率，同時(shí)獲得更好的成本控制能力，這意味著，HOMSEMI成為國(guó)內(nèi)一線分...
2012-02-13
HOMSEMI Power MOSFET Trench MOSFET
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