-
Vishay Siliconix功率MOSFET在4.5V時導通電阻僅為9.4 m?
日前，Vishay宣布推出新款8V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導通電阻，4.5V時導通電阻僅為9.4 m?。
2012-06-29
-
SiA436DJ:Vishay新MOSFET再度刷新導通電阻的最低記錄
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導通電阻。
2012-06-28
-
Vishay用于高溫作業的N通道MOSFET
Vishay已發布通過JAN認證的60V2N6660JANTX/JANTXV和90V2N6661JANTX/JANTXV 軍用級 N 通道功率 MOSFET。提供低導通電阻和快速切換時間，器件被封裝在一個密封的TO-205AD 中，可以承受軍事和航空航天領域經受的高溫。
2012-06-27
-
Vishay推出0.38mm超小型雙向非對稱單線ESD保護二極管
Vishay推出具有14pF低容量的新款雙向非對稱單線ESD保護二極管--- VCUT07B1-HD1，該器件采用超小LLP1006-2L封裝，憑借1.0mm x 0.6mm的小占位面積和0.38mm的極小尺寸，可減少在筆記本電腦和智能手機等便攜式電子產品中ESD保護所需的電路板空間。
2012-06-27
-
Vishay新款MLCC的Q值可達2000以上 適合高頻和微波應用
Vishay宣布推出新系列表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)--- VJ HIFREQ。器件具有高自振、大于2000的高Q值、小于0.05%的低介質損耗角，可在高頻商用應用中工作。
2012-06-27
-
Vishay推出超小外形雙向非對稱單線ESD保護二極管
Vishay推出具有14pF低容量的新款雙向非對稱(BiSy)單線ESD保護二極管，憑借極小外形尺寸，新的VCUT07B1-HD1可減少在筆記本電腦和智能手機等便攜式電子產品中ESD保護所需的電路板空間。
2012-06-26
-
非磁性片式電容器瞄準先進的醫療應用
為了滿足對電磁干擾極其敏感的應用，如最新的超高分辨率的核磁共振成像掃描儀，Vishay 推出采用特殊材料、構造技術和安全篩選的 VJ 系列非磁性多層陶瓷片式 (MLCC) 電容器。
2012-06-21
-
堅固的薄膜電阻在高達175°C和300MW條件下保持卓越性能
Vishay 的 MCW 0402 AT 芯片電阻在寬負載范圍內保持高穩定性。對于在包括高溫或高功耗的惡劣條件下需要準確的功率測量和高可靠性的應用場合，Vishay MCW 0406 AT薄膜芯片電阻提供可信賴的性能 ，而不會損害額定功率或電氣性能。
2012-06-19
-
VCNL4020：業界最薄全集成接近和環境光光學傳感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有0.8mm業內最低高度的新款全集成接近和環境光光學傳感器--- VCNL4020。該器件把一個紅外發射器、用于測量接近程度的光電二極管、一個環境光探測器、一個信號調理IC和一個16位ADC全部組合進一個小尺寸的4.8mm x 2.3mm x 0.8mm矩形無引線(LLP)封裝里。這款3合1傳感器有一個中斷函數，支持I2C總線通信接口，能大大簡化在各種各樣消費類和行業應用里窗口和傳感器的位置擺放問題。
2012-06-18
-
Vishay采用小尺寸綠色封裝的非過零光敏光耦可節省66%的PCB空間
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發布采用行業標準微型扁平SOP4封裝的新款非過零光敏光耦---VOM160和VOM305x。推出的器件比采用DIP-6封裝的器件可節省66%的PCB空間，擴充了其光電子產品組合。
2012-06-14
-
浪涌電流專用：Vishay齊納二極管在惡劣環境中性能卓越
Vishay BZD27C 系列為硅平面 齊納 二極管，浪涌電流規格高達 13.3A，這使它們成為在嘈雜環境中使用，或在要求性能穩定的應用中使用的理想選擇。
2012-06-13
-
Vishay瞬態保護二極管采用微型小尺寸封裝降低空間要求
Vishay SMFxxA ESD 保護二極管采用SMF (DO-219AB) 封裝，滿足設備更小更薄的要求，這些設備可用于輕薄小尺寸的便攜式產品中，或用于空間受限型汽車模塊內，并為設計人員提供范圍為 5.0V 至 51V 的反向擊穿電壓選項。
2012-06-12
- 第106屆電子展開幕，600+企業齊聚上海秀硬科技，打造全球未來產業新高地
- 慧榮科技：手機與AI推理“爭搶”存儲產能，供需失衡成倍擴大
- 庫存告急！SK海力士DRAM僅剩兩周，存儲芯片陷“即產即銷”模式
- 三星HBM產能告急！2025年訂單全部售罄，緊急擴建生產線
- 全球首發！臺積電中科1.4納米廠11月5日動工，劍指2028年量產
- 三星SDI與特斯拉洽談巨額儲能電池供應，北美供應鏈格局生變
- 特斯拉門把手面臨美監管機構全面審查
- 深耕四十載：意法半導體如何推動EEPROM持續進化，滿足未來需求
- 安森美2025年Q3業績超預期，AI驅動增長且現金流大增22%
- 安森美以SmartFET與以太網技術，驅動汽車區域控制架構革新
- 車規與基于V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
