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Si7615DN：Vishay 新型第三代20V P通道功率MOSFET
Vishay Siliconix發布具有業界最低導通電阻的新型第三代20V P通道TrenchFET?功率MOSFET
2009-05-14
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Vishay發布三款經CECC認證的新型高精度Bulk Metal箔電阻
賓夕法尼亞、MALVERN — 2009 年 4 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出三款面向航空、國防和航天(AMS)應用的通過CECC認證的新型高精度Bulk Metal?箔電阻 --- RS92N、RS92NA和AN。在-55℃～+155℃、+20℃參考溫度條件下，器件的典型TCR只有±2ppm/℃，容差為±0.01%，在70℃溫度下工作2000小時后的負載壽命穩定率為±0.005%(50ppm)。
2009-05-02
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Vishay Siliconix推出業界最小導通電阻的雙P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有兩個20V P溝道的第三代TrenchFET?功率MOSFET --- SiA921EDJ，其導通電阻是目前所有雙P溝道器件當中最小的，所采用的熱增強PowerPAK? SC-70封裝的占位面積只有2mmx2mm。
2009-05-01
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IHLW-4040CF-11：Vishay發布業界首款翼式且采用4040封裝尺寸的超薄、大電流電感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款翼式且采用4040封裝尺寸的超薄、大電流電感器 --- IHLW-4040CF-11。IHLW-4040CF-11是為安裝在分離(cut-out)PCB上而設計的，透過使用較大尺寸的部件，可為設計人員提供大電流解決方案，而其在電路兩板側的厚度不超過1.2mm。
2009-05-01
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VSMB20x0X01/VEMT20x0X01：Vishay最新PIN光電二極管三極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出了通過AEC-Q101認證的VSMB20x0X01 PIN光電二極管和VEMT20x0X01光電三極管，擴充了其光電產品目錄。這些光探測器的工作溫度為-40℃～+100℃，采用1.88mm的翼型和倒翼型表面貼裝封裝。 此次發布的器件對旋轉編碼器、位置傳感器、適用于高亮度或日光抑制的紅外探測器、車用雨量傳感器，以及車庫開門器和電動轉門上的光幕和擋光板等應用進行了優化。
2009-04-22
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IHLW-4040CF-11:Vishay首款翼式低厚度4040尺寸的電感器
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出業界首款翼式采用4040封裝尺寸的超薄、大電流電感器。 IHLW-4040CF-11是為安裝在分離(cut-out)PCB上而設計的，透過使用較大尺寸的部件，可為設計人員提供大電流解決方案，但在電路兩板側的厚度不超過1.2mm。
2009-04-21
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MSS1P2U和MSS1P3U:Vishay推出具有超低前向壓降的小型肖特基整流器
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出兩款新型肖特基整流器 --- MSS1P2U和MSS1P3U，在+85℃和+25℃時的前向壓降分別只有0.35V和0.4V。器件采用小型MicroSMP功率封裝，額定電壓分別為20V(MSS1P2U)和30V(MSS1P3U)，輸出電流為1A，Vishay此次推出的新型器件的高電流功率密度和低熱阻有助于實現節省空間的設計。
2009-04-17
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TEMD5080X01：Vishay新款高速光電二極管
日前，Vishay發布了其新款高速光電檢測器 --- TEMD5080X01，繼續擴展其光電產品線。TEMD5080X01是PIN型光電二極管，與標準PIN光電二極管芯片相比，TEMD5080X01對400nm紫外線的檢測靈敏度提高了300%，因此可廣泛用于工業和消費類系統。
2009-04-09
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981 HE：Vishay新型空心軸及D軸節氣閥位置傳感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新型空心軸及D軸節氣閥位置傳感器，該傳感器采用霍爾效應技術，可適應惡劣環境中的應用。
2009-03-31
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IHLP-6767GZ-01：Vishay新型IHLP薄型大電流電感器
Vishay 日前宣布推出采用 6767 封裝尺寸的新型 IHLP? 薄型大電流電感器 --- IHLP-6767GZ-01
2009-03-30
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Vishay 推出面向AMS 應用的超高精度表面貼裝箔電阻
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其面向航空、軍事和航天應用的超高精度、卷繞表面貼裝 Bulk Metal Z 箔（BMZF）電阻新系列目前已可提供，該系列已根據 EEE-INST-002、DSCC 和 EPPL 標準進行生產后篩選。
2009-03-26
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）發布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業內最低的導通電阻。
2009-03-12
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